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記憶體參數的資料
CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。例如CL=3,表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器),to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器)。記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列),然後RAM收到列的位置後,經過一段時間,才會再傳送行(Column)的位址,而這一段時間就是RAS Delay

Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲,我硬翻的..),一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分),當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路,並於一定時間內做自我充電, 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。

由於DDR RAM的資料儲存方式,是以一列下去儲存,放滿了或是不夠放,才會換列。因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。因此列定址後,只有行在換。也就是說,一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd),等到行定址後,又要自主記憶體讀取下一N筆資料,而所需的準備時間就是CL值。因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。

總結上述,這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下,(原本的工作時脈),其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲,或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間...等等。因此想要記憶體以高時脈運作,則記憶體參數就必須調高(鬆),否則記憶體容易傳送錯誤資料,或是不穩定。

最常看到的DDR400/DDR500,記憶體參數有

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8

也有更高的(傳輸延遲更久的)

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10

以上參數通常適用DDR500以上。

若您的記憶體體質相當不錯,也可以試試看以

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6

體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至

CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5

所以您看到很多的DDR500,都是以較高的參數(較長的訊號傳輸延遲來換取較高的運作時脈)
麒靈 / Xuite日誌 / 回應(0) / 引用(0)
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